Baskakova

  • 22 окт. 2011 г.
  • 765 Слова
Введение.

Значительные изменения во многих областях науки и техники обусловлены развитием электроники. В настоящее время невозможно найти какую-либо отрасль промышленности, в которой неиспользовались бы электронные приборы или электронные устройства измерительной техники, автоматики и вычислительной техники. Причем тенденция развития такова, что для электронных информационных устройств и устройствавтоматики непрерывно увеличивается. Это является результатом развития интегральной технологии, внедрение которой позволило наладить массовый выпуск дешевых, высококачественных, не требующих специальнойнастройки и наладки микроэлектронных функциональных узлов различного назначения.
Следовательно, развитие технологии в данном направлении перспективная отрасль технологии.

Анализ задания.

В данной курсовойработе требуется рассчитать каскад включенный по схеме с ОЭ. Он выполнен на биполярном транзисторе КТ 332А – это кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор. Предназначен для работы в усилительныхэнтегрально-гибридных микросхемах в блоках аппаратуры, обеспечивающих герметизацию. Оформление безкорпусное с гибкими выводами.
Входные и выходные характеристики представлены на рисунке 1.IБ=2,5mkA
рис.1
Максимально допустимые параметры:

Гарантируются при температуре окружающей средыТс=-60…1250С
Постоянный ток коллектора, Iкmax.…………………………...………….….20мА
Постоянный ток базы,IБmax.………………………………………………...…5мА
Импульсный ток коллектора при tи10мкс, Q10, Iки.…………………….50мА
Постоянноенапряжение эмиттер-база, UЭБ.…………………………………..3В
Постоянное напряжение коллектор-база, UКБ.……………………………….15В
Постоянное напряжение коллектор эмиттера при Rб10 кОм,UКЭR…...…...15В
Постоянная рассеиваемаямощность коллектора при Тс=-60…+750С, Rkmax………………………………………………………………………….15мВт
Температура перехода, Тпmax.……………………………………….………1350С
Тепловое сопротивление...
tracking img