Kfpths

  • 20 мая 2012 г.
  • 5118 Слова
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение 3-6
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров 7-10
2.1. Новые гетероструктуры 11-13
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем14-15
2.3. Квантово-размерные эффекты 16-17
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров 18
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой 19-23
4. Заключение 24-25Список литературы 26





















1. Введение
Полупроводниковые лазеры вступили в период их массового практического применения. Непосредственное питание от низковольтных источников тока, высокий к. п. д., простота и компактность устройства инжекционных лазеров, высокое быстродействиепредопределяют преимущество их использования в таких областях, как волоконно-оптическая связь, оптические системы памяти (в частности, видеодисковая аппаратура), знакопечатание, автоматика, спектроскопическая диагностика различных сред и материалов (влагометрия, мониторинг окружающей среды и т. д.), а также в научных исследованиях и промышленных испытаниях (спектроскопия высокого разрешения, аттестацияфотоприемников, стандарты интенсивности источников излучения, различные виды метрологической калибровки и т. д.).
В последнее время выработались подходы к специализации лазерных конструкций и материалов для определенных применений; например, можно говорить о наиболее перспективном ≪коммуникационном≫ лазере на основе полосковой конструкции диода с волоконно-оптическим выводом излучения, работающим внепрерывном или импульсном режиме на длинах волн, согла- сованных с оптимальным диапазоном пропускной способности волоконных световодов (1,3 или 1,55 мкм). Спектроскопические задачи решают перестраи- ваемые одночастотные лазеры главным образом на основе халькогенидных кристаллов (А4В6); для получения большой мощности в целях засветки, оптической накачки, дальнометрии преимущество имеют неполосковые(≪широкие≫) диоды или наборные излучатели (решетки и линейки лазерных диодов).
Промышленность технически передовых стран освоила выпуск целого ряда разновидностей полупроводниковых лазеров, а также более сложных специализированных модулей, включающих такие лазеры. Они функциони- руют в многочисленных линиях лазерной связи, суммарная протяженность которых превысила многие тысячи километров.Наибольшая доля серийного выпуска приходится на инжекционыые лазеры на основе двух типов лазерных гетероструктур: GaAlAs/GaAs и InGaAsP/InP, перекрывающих диапазоны длин волн 0,67—0,91 и 1,06—1,67 мкм соответственно. Полупроводниковые лазеры можно охарактеризовать и как наиболее миниатюрные,и как наиболее надежные и долговечные изделия квантовой электроники, обладающие замечательными динамическими испектральными свойствами.
Среди первоочередных задач — освоение массового выпуска и применения длинноволновых ИК лазеров для контроля окружающей среды в городах, на производствах, в шахтах и других рабочих местах. К проблемам практического применения мы еще вернемся. Здесь следует заметить, что вплоть до последнего времени продолжали нарастать темпы и масштабы физических исследований полупроводниковых лазеров,включая работы фун-даментального характера. Это свидетельствует о наличии больших потен-циальных возможностей данного направления квантовой электроники и лазерной техники.
В зависимости от методов создания инверсной населенности классифицируются различные типы полупроводниковых лазеров:
— инжекционные, в которых осуществляется инверсия путем встречной диффузии...
tracking img