KPTiMS

  • 27 нояб. 2012 г.
  • 5295 Слова
СОДЕРЖАНИЕ
1.Введение……………………………………………………………………..3 1.1.Теоретические сведения…………………………………..……….3
2.Расчет тонкопленочных элементов……………………………...........8 2.1.Расчет резисторов…………………………………………………...8 2.2.Расчет конденсаторов……………………………………………..20 2.3.Выбор навесных компонентов…………………………………...25
3.Определение площади подложки………………………………………264.Выбор корпуса…………………………………………………………….26
5.Разработка технологического процесса изготовления ГИМС…..27
5.1. Маршрутная карта………………………………….…………27
5.2.Операционная карта.……………………………………………8
6.Требования техники безопасности……………………………………29
7.Список используемой литературы…………………………………….31
8.Приложения………………………………………………………………..32

1.Введение
Гибридные интегральные микросхемы позволяют размещать всвоем корпусе как пленочные элементы, так и навесные компоненты, что позволяет производить на базе этой технологии большое разнообразие интегральных микросхем. В данном курсовом проекте рассчитываются элементы и топология цифровой тонкопленочной гибридной интегральной микросхемы.
1.1.Теоретические сведения
Подложки ГИС. Они являются диэлектрическим и механическим основаниями для расположения пленочных инавесных элементов и служат для теплоотвода. Электрофизические параметры материалов подложек даны в табл. 1.1. Для маломощных ГИС можно применять бесщелочные боросиликатные стекла С41-1 и С48-3, а также ситаллы. По сравнению с ситаллами стекла имеют меньшую теплопроводность, что не позволяет использовать их при повышенных уровнях мощности. Ситалл имеет ряд преимуществ перед стеклами. Он хорошообрабатывается, выдерживает резкие перепады температуры, обладает высоким электрическим сопротивлением, газонепроницаем, а по механической прочности в 2—3 раза прочнее стекла. Для мощных ГИС применяют керамику поликор, а для особо мощных ГИС — бериллиевую керамику, имеющую очень высокую теплопроводность (см. табл.1).
Габаритные размеры подложек стандартизованы. Обычно на стандартной подложке групповымметодом изготовляют несколько плат ГИС (заметим, что платой называется часть подложки с расположенными на ее поверхности пленочными элементами одной ГИС). Деление стандартной подложки на части, кратные двум и трем, дает ряд типоразмеров плат, приведенных в табл. 1.3. Платы № 3— 10 используют в стандартных корпусах, остальные — в бескорпусных ГИС и микросборках. Толщина подложек составляет 0,35—0,6 мм.Размеры подложек имеют только минусовые допуски в пределах (0,1—0,3 мм).
Материалы резисторов. Параметры тонкопленочных резисторов определяются свойствами применяемых резистивных материалов, толщиной резистивной пленки и условиями ее формирования.
В качестве резистивных материалов используют чистые металлы и сплавы с высоким электрическим сопротивлением, а также специальные резистивные материалы— керметы, которые состоят из частиц металла и диэлектрика. Широко распространены пленки хрома и тантала. На основе керметов получают высокоомные резисторы. В зависимости от содержания хрома можно получить резистивные пленки с удельным сопротивлением от сотен Ом на квадрат до десятков кОм на квадрат, обладающие высокой стабильностью. В настоящее время промышленностью освоена большая группаметаллосилицидных сплавов системы Сr—Si, легированных небольшими добавками железа, никеля, кобальта, вольфрама (РС-3001, РС-3710, РС-5604К, МЛТ-ЗМ, РС-5406Н). Наиболее часто используют сплавы РС-3001, РС-3710 (37,9% Сr, 9,4% Ni, 52,7% Si), МЛТ-ЗМ (43,6% Si, 17,6% Сr, 14,1% Fe, 24,7% W).
Материалы конденсаторов. Обкладки конденсаторов должны иметь высокую проводимость, коррозионную стойкость, технологическуюсовместимость с материалом подложки и диэлектрика конденсатора: ТКЛР, близкие к ТКЛР подложки и диэлектрика, хорошую адгезию к подложке и диэлектрику, высокую механическую прочность.
Наилучшим материалом для обкладок конденсаторов является алюминий, который, однако, имеет плохую адгезию к подложке. Для предотвращения отслаивания нижней обкладки вначале напыляют...
tracking img