Nanoelektronika

  • 25 дек. 2012 г.
  • 1585 Слова
Министерство образования и науки Украины

Харьковский национальный технический университет

радиоэлектроники




Курсовая работа
Пояснительная записка

ПО КУРСУ “ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА”

ТЕМА: «РАСЧЕТ СХЕМНОЙ МОДЕЛИ КРЕМНИЕВОГО ДРЕЙФОВОГО ТРАНЗИСТОРА»




Выполнил: Проверила:
студент группы МНП-00-1 доцент
Петров А. С. Бурдукова С. С.Харьков 2002
РЕФЕРАТ


В данной курсовой работе требуется рассчитать h-параметры транзистора для включения с ОБ и ОЭ. Для того чтобы осуществить расчеты и исследовать зависимости, следует воспользоваться программой MathCAD 2000. В ходе выполнения расчетов h-параметров необходимо определить коэффициент передачи по току, т. к. является основной величиной, характеризующейсвойства полупроводникового транзистора; вычислить сопротивление эмиттера, базы и коллектора.

Необходимо представить структуру транзистора для лучшего понимания принципа действия и технологического процесса изготовления.
Целью данной работы является расчет схемной модели кремниевого дрейфового транзистора.
Пояснительная записка содержит
17 страниц;
3 рисунка;
1 приложение;
3 источника.
ЭМИТТЕР,БАЗА, КОЛЛЕКТОР, ДРЕЙФОВЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕ БАЗЫ, Y–ПАРАМЕТРЫ, ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА, ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДРЕЙФОВОГО ТРАНЗИСТОРА.

СОДЕРЖАНИЕ



ВВЕДЕНИЕ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1. РАСЧЕТ Y-ПАРАМЕТРОВ. . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1 Коэффициент усиления по току на низкой частоте . . . . . . . . . . . . 7
1.2 Омические сопротивления эмиттера, базы, коллектора .. . . . . . . 8
1.3 Y-параметры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.1 Расчет Y-параметров в схеме с общей базой . . . . . .. . . . . . . . 9
1.3.2 Расчет Y-параметров в схеме с общим эмиттером . .. . . . . . . 9
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ Y21Э = f(Iб) . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.1 Расчет неуправляемой части тока коллектора IКБ0 . .. . . . . 10
2.2 Проводимость базы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3 Эквивалентные схемы для общей базы иобщего эмиттера. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

3 КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ . . . . . . . . . . . . 13
3.1 Структура транзистора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 13
3.2 Описание технологии получения дрейфового транзистора . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .13
ЗАКЛЮЧЕНИЕ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
ПРИЛОЖЕНИЕ А. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17




ВВЕДЕНИЕ


Инженер по эксплуатации радиоэлектронных системдолжен знать принципы их работы, применения и повседневного обслуживания. Успешное выполнение этих задач невозможно без знания элементной базы этих систем и, в первую очередь, наиболее сложной и ответственной части элементной базы - транзисторов и интегральных микросхем.
Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределениепримесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. При этом перенос носителей осуществляется не только за счет диффузии, но также и за счет дрейфа носителей в электрическом поле.
Дрейфовые транзисторы имеют более высокие предельные частоты, в них легче получить...
tracking img