Вопросы писаприм

ВОПРОСЫ ПИСАПРИМС

3. ЭТАПЫ И СПОСОБЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИМС
4. МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ПП ИМС. ВИДЫ ПЛАСТИН ОБОЗНАЧЕНИЕ.
5.ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ. НАЗНАЧЕНИЕ И ТРЕБОВАНИЕ К ПАРАМЕТРАМ.
6.МЕТОДЫФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ И ЯВЛЕНИЯ ЕГО СОПРОВОЖДАЮЩИЕ.
7. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК. ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК.
8. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ.НАЗНАЧЕНИЕ. ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССА. ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ. ПРОФИЛЬ ЛЕГИРОВАНИЯ.
9.ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ. НАЗНАЧЕНИЕ. ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ. ПАРАМЕТРЫ ЭПИТАКСИЛЬНЫХ СЛОЕВ И МЕТОДЫ ИХ КОНТРОЛЯ.
10.ДИФФУЗИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ. НАЗНАЧЕНИЕ. ТЕХНИКА И СПОСОБЫ ПРОВЕДЕНИЯ. ПРОФИЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ. ДОСТОИНСТСВА И НЕДОСТАТКИ.
11. ФОТОЛИТОГРАФИЯ. НАЗНАЧЕНИЕ. ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССА. ТИПЫ ИПАРАМЕТРЫ ФОТОРЕЗИСТОВ. ФОТОШАБЛОНЫ ИХ СОВМЕЩЕНИЕ.
12.ТОНКИЕ ПЛЕНКИ. НАЗНАЧЕНИЕ. ЧЕТЫРЕ МЕТОДА НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, ИХ ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ, ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ.
13. ТРИ МЕТОДА МЕЖЭЛЕМЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ.ПРИНЦИП. ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ
14. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БИПОЛЯРНЫХ ИМС С ИЗОЛЯЦИЕЙ РБРАТНОСМЕЩЕННЫМ Р-П ПЕРЕХОДОМ
14. СТРУКТУРА И ТОПОЛОГИЯ БИПОЛЯРНОГО NPN ТРАНЗИСТОРА(БТ) C ИЗОЛЯЦИЕЙ Р-П ПЕРЕХОДОМ. НАЗНАЧЕНИЕ ОБЛАСТЕЙ И ТРЕБОВАНИЯ К НИМ.
15. ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БТ (КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ТОКА, НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ, ГРАНИЧНАЯ ЧАСТОТА УСИЛЕНИЯ) И ИХ СВЯЗЬ СКОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ.
16. ПРОЕКТИРОВАНИЕ РЕЗИСТОРОВ. КОНСТРУКЦИИ И ИХ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ. МЕТОДИКА КОНСТРУКТИВНОГО РАСЧЕТА
17. ПРОЕКТИРОВАНИЕ КОНДЕНСАТОРОВ. КОНСТРУКЦИИ И ИХСРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ. МЕТОДИКА КОНСТРУКТИВНОГО РАСЧЕТА
18. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ РNР ЛАТЕРАЛЬНЫЙ БТ ТРАНЗИСТОР. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ И ТОПОЛОГИИ
19. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ РN ПЕРЕХОДОМ (ПТУП)СТРУКТУРА И ТОПОЛОГИЯ.
20. ПРИНЦИП РАБОТЫ. ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТУП И ИХ СВЯЗЬ С КОНСТРУКТИВНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ
21. МДП ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (МДП ПТ)....