Отчет по технологической практике. Установка окисления кремния

  • 01 окт. 2012 г.
  • 6248 Слова
|Министерство образования и науки РФ |
|ФГАОУ ВПО «Уральский федеральный университет им. первого |
|Президента России Б.Н. Ельцина»|
|Кафедра «Электронное машиностроение» |
| | |
|ОТЧЕТ|
|по технологической практике |
||
|Студент группы М-390501: |Соколов В.А. |
|Место практики: |НПО Автоматики |
|Руководитель практики от предприятия:|Т.Ф. Первушина |
|Руководитель практики от кафедры: |Ю.Н. Жуков |
|Екатеринбург |
|2012|
Оглавление
Введение 3
Окисление кремния 4
Механизм роста и кинетика окисления. 4
Модель окисления кремния. 5
Окисление с добавлением и без добавления HCl. 7
Методы окисления и оборудование 8
Последовательность технологических переходов при термическомокислении 11
Новейшее оборудование 12
Образование дефектов при окислении кремния 14
Методы контроля 15
Влияние микродефектов на электрические свойства 15
Влияние на время жизни заряда 15
Влияние на характеристики p-n-переходов 17
Выводы 19
Библиографический список 20
Приложения 21



Введение

Окисление кремния – физико-химический процесс, применениекоторого необходимо в ходе всего технологического цикла изготовления интегральных схем. Для создания надежных высококачественных ИС требуется не только понимать основной механизм окисления, но и обладать возможностью формировать высококачественный окисел контролируемым и воспроизводимым образом. Кроме того, чтобы гарантировать надежность ИС, нужно знать зависимость электрических свойств окисла оттехнологических параметров процесса окисления.
В технологии создания ИС двуокись кремния используется для нескольких целей. Она служит в качестве маски для ионной имплантации или диффузии легирующей примеси в кремний, для пассивирования поверхности структур, для изоляции приборов друг от друга (диэлектрическая изоляция в отличие от изоляции приборов p-n-переходами), выступает в роли одного из основныхкомпонентов в МОП-структурах и обеспечивает электрическую изоляцию в системах многослойной металлизации. В настоящее время для формирования окисных слоев разработано несколько методов, которые включают в себя термическое окисление, анодирование в растворах электролитов, пиролитическое осаждение (осаждение из газовой фазы) и плазменное анодирование, или окисление. В тех случаях, когда...
tracking img