Полевой транзистор

Содержание.

1. Введение ……………………………………………………………2
2. Разновидности транзисторов
2.1 Биполярный транзистор…………………………………….3
2.2 Полевой транзистор…………………………………………5
3. Схемы включения и основные параметры биполярных
и полевых транзисторов…………………………………………….6
4. Исследования полевых транзисторов………………………………10
5 Исследование полевоготранзистора с управляющим
р-n переходом и его основные характеристики..…………….11
6. Общие сведения и система обозначений
полевых транзисторов…………………………………...14

7 Исследование МДП транзистора ……………………………………..15

1.Введение
Транзистор - полупроводниковый электронный элемент, как правило, с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током вэлектрической цепи. Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer - преобразователь и resistor – сопротивление. Первоначально название "транзистор" относилось к резисторам, управляемым напряжением, схематически транзистор можно представить именно в таком виде, как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах - напряжение между затвороми истоком, в биполярных - напряжение между базой и эмиттером).
Биполярные и полевые транзисторы находят широкое применение в качестве основной элементной базы при проектировании современных радиоэлектронных средств и электронных устройств различного назначения.
Транзистор называется биполярным, так как в формировании тока транзистора участвуют два типа носителей заряда: положительно заряженных– дырок и отрицательно заряженных – электронов.
Полевой транзистор называют униполярным, поскольку ток в транзисторе создаётся одним типом носителей заряда: или электронами, или дырками.

2.Разновидности транзисторов.
Транзисторы бывают двух видов: полевые и биполярные.
Транзисторы типов p-n-p или n-p-n, называемые часто биполярными транзисторами, представляют собой тонкуюпластинку слаболегированного германия или кремния с электронной или дырочной проводимостью, на которой методом вплавления или диффузии получены два электронно-дырочных перехода. Расстояние между p-n переходами должно быть меньше диффузионной длины носителей зарядов.
Устройство германиевого биполярного транзистора типа p-n-p показано на рис.1 а. В кристалл германия с электронной электропроводностью сдвух сторон вплавлены кусочки индия, образующие область кристалла с дырочной электропроводностью. Кристалл с электронной электропроводностью называется базой транзистора, область кристалла с дырочной электропроводностью с p-n переходом малой площади называется эмиттером, а переход соответственно называется эмиттерным p-n переходом. Область кристалла с дырочной электропроводностью и p-n переходомбольшой площади называется коллектором, а переход называется коллекторным. Условное обозначение биполярного транзистора типа p-n-p показано на рис 1.б.
Биполярный транзистор типа n-p-n (рис.1в.) отличается от транзистора p-n-p тем, что основной кристалл, образующий базу транзистора, имеет дырочную электропроводность, а благодаря вплавлению или диффузии создаются у поверхности области кристалла, имеющиеэлектронную электропроводность. Условное обозначение транзистора n-p-n показано на рисунке – 1.г.

[pic]
Рис.1
Обе разновидности транзистора отличаются только типом основных носителей заряда и полярностью внешних напряжений, принцип действия у них один и тот же.
Биполярные транзисторы используются наиболее широко. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластинуполупроводника с тремя чередующимися областями разной электропроводности (рис. 2), которые образуют два р - n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя - электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 2, а), то...