Полевые транзисторы

  • 28 февр. 2014 г.
  • 1803 Слова
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ
КАФЕДРА ЭЛЕКТРОНИКИ

Реферат на тему:
“Полевые транзисторы”
Дисциплина: электроника и микропроцессорная техника

Выполнила:Преподаватель:


Санкт-Петербург
2013

Оглавление
Введение 3
1. Классификация полевых транзисторов 3
2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом 3
2.1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n- переходом 3
2.2. Работа полевого транзистора с управляющимp-n-переходом 4
3. Полевой транзистор с изолированным затвором 6
3.1. МДП-транзистор со встроенным каналом 6
3.1.1. Устройство МДП-транзистора со встроенным каналом 6
3.1.2. Работа МДП-транзистора со встроенным каналом 7
3.2. МДП-транзистор с индуцированным каналом 8
3.2.1. Устройство МДП-транзистора с индуцированным каналом 8
3.2.2. Работа МДП-транзистора с индуцированным каналом 84. Схемы включения полевых транзисторов 9
5. Преимущества и недостатки полевых транзисторов 10
6. Области применения 10
Заключение 11
Список литературы 13

Введение
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором управление потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, осуществляется с помощью поперечного электрического поля.
Полевые транзисторыназываются также униполярными, потому что ток переносится носителями одного типа – электронами или дырками.

1. Классификация полевых транзисторов
Полевые транзисторы (FET: Field-Effect-Transistors) разделяются на два типа: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET: Junction-FET) и полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET: Metal-Oxid-Semiconductor-FET).
Каждый из типов может быть какс n–каналом, так и с p-каналом. У транзисторов с n-каналом в роли носителей электрического заряда выступают электроны. У транзисторов с p-каналом – дырки. 
2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
2.1. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n- переходом
Изображенная на рис.1 область n-типа представляет собой канал между зонами p-типа, по которому движутся электроны. Одинвывод называется истоком, другой – стоком. Контакт к областям p-типа называется затвором.

Рис.1 Устройство n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Вблизи стока и истока находятся области повышенного легирования N+. T. e. зоны с повышенной концентрацией электронов. Это улучшает проводимость канала.
На рис.2 представлены обозначения на схемах полевых транзисторов суправляющим p-n-переходом.

Рис.2 Обозначения на схемах полевых транзисторов с управляющим p-n- переходом.
3.2. Работа полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Подключим источник положительного напряжения к стоку, исток и затвор земле (Uзи = 0). При низком напряжении на стоке Uси ширина канала максимальна. В таком состоянии полевой транзистор ведет себя как обычный проводник. Токчерез канал между стоком и истоком Iси растет линейно при увеличении Uси. Это состояние еще называют омической областью.
При повышении Uси в зонах p-n-перехода постепенно снижается количество свободных электронов – появляется обедненный слой. Этот слой растет несимметрично: больше со стороны стока, поскольку туда подключен источник напряжения. В результате канал сужается настолько, что придальнейшем повышении Uси, Iси будет расти незначительно. Наступает режим насыщения.

Рис. 3 Работа полевого транзистора с управляющим p-n-переходом при UЗИ = 0
При подаче отрицательного (положительного для транзистора с p-каналом) напряжения на затвор UЗИ сужается канал и значительно уменьшается ток IСИ.
Значение UЗИ ,при котором IСИ останавливается, называется напряжение...
tracking img