Статические характеристики и параметры полевых транзисторов

Министерство энергетики и промышленности Республики Таджикистан
Министерство образования Республики Таджикистан
Технологический университет Таджикистан
Совместный таджикско-украинский факультет

КДЗ
по дисциплине: «Электроника и микросхематика»
на тему : « Статические характеристики и параметры полевых транзисторов»

Выполнил: студент 3-го курса
группы 1-40010102 р-БМухамадиев А.У.

Принял: Хакёров С.У

Душанбе – 2012г.

Содержание

Введение……………………………………………………………………… 3
I. Полевые транзисторы с управляющим р-n- переходом…………… 4
1.Устройство и принцип действия ……………………………….… 4
2.Статические характеристики полевого
транзистора с управляющим р-n- переходом…………………… 6
3. Основныепараметры………………………………………………… 8
II. Полевые транзисторы с изолированным затвором………………. 9
1. Устройство и принцип действия………………………………… 9
2. Статические характеристики МДП – транзисторов……… 14
3. Основные параметры МДП – транзисторов………………….. 15
4. Область применения………………………………………………… 15
III. Основные схемы включения полевых транзисторов…………….. 16
IV. Простейший усилительный каскадна полевых транзисторах….. 17
V. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами…………. 20
Заключение………………………………………………………………… 22
Список использованной литературы…………………………………... 23

Введение
Полевой транзистор – это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, икоторый предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний.
К классу полевых относят транзисторы, принцип действия которых основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Вследствиеэтого транзисторы называют полевыми.
По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р-n- перехода и с изолированным затвором (МДП - или МОП - транзисторы): встроенным каналом и индуцированным каналом.
В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: полевые транзисторы с каналом р- типа и n- типа. Канал р- типа обладает дырочной проводимостью,а n- типа – электронной.

I. Полевые транзисторы с управляющим р-n- переходом

1. Устройство и принцип действия
Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.

Рис.1 – Устройство полевого транзистора с управляющим р-n-переходом (каналом n- типа)

Рис. 2 –Условное обозначение полевого транзистора с р-n-переходом и каналом n- типа (а), каналом р- типа (б)

Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения.
Электрод (вывод), через который в канал входят основные носители заряда, называют истоком. Электрод, через который из канала уходят основныеносители заряда, называют стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала за счет управляющего напряжения, называют затвором.
Как правило, выпускаются кремниевые полевые транзисторы. Кремний применяется потому, что ток затвора, т.е. обратный ток р-n- перехода, получается во много раз меньше, чем у германия.
Условные обозначения полевых транзисторов с каналом n- и р- типовприведены на рис.2.
Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на рис.1. Управляющее (входное) напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов. Ширина р-n- переходов, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его...