Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем

Московский Государственный Открытый

Университет

Кафедра электронной техники

Курсовой проект

по предмету:

«Технология производства полупроводниковых приборов и

интегральных схем»

Руководитель проекта:
Кротов И.И.Разработала студентка:




Москва 2008

Московский Государственный Открытый

Университет

Кафедра электронной техники

Задание на Курсовой проект

тема:

«Однослойная алюминиевая металлизация».Руководитель проекта: Кротов И.И.

Разработала студентка: Попова Е. Ю.

шифр:605090

Москва 2008
Содержание.

| |Вводная часть. | |
|1. |Теоретическая часть.| |
|1.1 |Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных | |
| |микросхем. | |
|1.2|Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. | |
|1.3 |Факторы влияющие на свойства тонких пленок. | |
|1.4 |Подложки.| |
|2. |Технологическая документация. | |
| |Заключение | |
| |Список литературы| |
| | | |

Вводная часть.

Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано созначительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры иее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
Среди широкого классса полупроводниковых материалов наибольшее применение в микроэлектронике получил монокристаллический кремний. Это вызвано прежде всего возможностями получения совершенных монокристаллов кремния большого диаметра (до 200 мм),высокой технологичностью его переработки, а также широким распространением в природе и сравнительно дешёвой технологией получения. Замечательной особенностью этого материала является наличие надёжной защитной маски, роль которой выполняет собственный природный окисел кремния с хорошими диэлектрическими свойствами. Последнее обстоятельство имело решающее значение в использовании...